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自主芯片最新进展:中国最接近世界一流芯片量产

8月4日,中国工信部电子司前司长、紫光集团联席总裁刁石京称,该国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将在第四季度量产。中国不断加大对芯片的投资,未来将收获回报据悉,长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片,并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。中新社称,上述芯片耗资10亿美元,由千人团队耗时2年研发,是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片。刁石京,目前,芯片生产设备正在进行安装调试,32层三维NAND闪存芯片将在一号芯片生产厂房量产。 他还透露,64层三维闪存芯片研发也在进行中,计划2019年实现量产。刁石京表示,中国芯片技术落后于世界,但自主研发的脚步始终没有停止,两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距。据悉,长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设,负责国家存储器基地项目。根据规划,至2023年,基地产能将达到每月30万片,并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群。 另据报道,在今年5月21日,长江存储从荷兰阿斯麦(ASML)订购的光刻机已抵达武汉。该光刻机价值高达7,200万美元,折合人民币高达4.6亿元。光刻机是生产大规模集成电路的核心设备,对芯片工艺有着决定性影响。据报道,长江存储订购的上述光刻机采用193nm沉浸式设计,可生产20nm至14nm工艺的三维NAND闪存晶圆。自美国封杀中兴通讯以来,中国多个机构已推出多款芯片。 4月23日,中国电科38所推出实际运算性能业界同类产品最强的数字信号处理器,即“魂芯二号A”。该处理器被指单核性能超过当前国际市场上同类芯片性能4倍。5月14日,中国两家科研机构相继宣布成功研发3,500万门级FPGA、7,000万门级FPGA。FPGA是现场可编程门阵列,可满足军用装备、通信设备需求。
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